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制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 160 V
集电极—基极电压 180 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 115 mV
最大直流电集电极电流 600 mA
耗散功率 330 mW
增益带宽产品 130 MHz
直流集电极 80 at 1 mA, 5 V, 80 at 10 mA, 5 V, 30 at 50 mA, 5 V
直流电流增益(Max) 80 at 1 mA, 5 V
技术 Si
高度 1.02 mm
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 8 mg
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0ZXTN5551FLTA
型号:ZXTN5551FLTA
品牌:DIODES
供货:锐单
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