NJVMJD243T4G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥2.163983 | ￥5409.96 |
| 5000 | ￥2.050102 | ￥10250.51 |
| 12500 | ￥1.898233 | ￥23727.91 |
| 25000 | ￥1.879458 | ￥46986.45 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 100 V
集电极—基极电压 100 V
发射极 - 基极电压 7 V
饱和电压 300 mV
最大直流电集电极电流 4 A
耗散功率 12.5 W
增益带宽产品 40 MHz
集电极连续电流 4 A
直流集电极 40 at 200 mA, 1 VDC
直流电流增益（Max） 180 at 200 mA, 1 VDC
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 351 mg
NJVMJD243T4G 相关产品
NJVMJD243T4G 同类别型号
注
NJVMJD243T4G
型号：NJVMJD243T4G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥2.163983 |
| 5000+： | ￥2.050102 |
| 12500+： | ￥1.898233 |
| 25000+： | ￥1.879458 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00