NSV1C301ET4G-VF01
库存 ：2372
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起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥11.050349 | ￥11.05 |
| 10 | ￥9.775309 | ￥97.75 |
| 25 | ￥9.180289 | ￥229.51 |
| 100 | ￥6.662793 | ￥666.28 |
| 250 | ￥6.425069 | ￥1606.27 |
| 500 | ￥5.566543 | ￥2783.27 |
| 1000 | ￥4.737483 | ￥4737.48 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 100 V
集电极—基极电压 140 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 115 mV
最大直流电集电极电流 3 A
耗散功率 33 W
增益带宽产品 120 MHz
集电极连续电流 3 A
直流集电极 120
直流电流增益（Max） 360
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 351 mg
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注
NSV1C301ET4G-VF01
型号：NSV1C301ET4G-VF01
品牌：ON
供货：锐单
库存：2372 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥11.050349 |
| 10+： | ￥9.775309 |
| 25+： | ￥9.180289 |
| 100+： | ￥6.662793 |
| 250+： | ￥6.425069 |
| 500+： | ￥5.566543 |
| 1000+： | ￥4.737483 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥11.05