PZT651T1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥1.406083 | ￥1406.08 |
| 2000 | ￥1.282078 | ￥2564.16 |
| 5000 | ￥1.199296 | ￥5996.48 |
| 10000 | ￥1.116648 | ￥11166.48 |
| 25000 | ￥1.058695 | ￥26467.38 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 60 V
集电极—基极电压 80 V
发射极 - 基极电压 5 V
饱和电压 500 mV
最大直流电集电极电流 2 A
耗散功率 800 mW
增益带宽产品 75 MHz
集电极连续电流 2 A
直流集电极 75
技术 Si
外形参数
高度 1.57 mm
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 112 mg
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注
PZT651T1G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
、PZT651T1G
数据手册PDF。
PZT651T1G
型号：PZT651T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1000+： | ￥1.406083 |
| 2000+： | ￥1.282078 |
| 5000+： | ￥1.199296 |
| 10000+： | ￥1.116648 |
| 25000+： | ￥1.058695 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00