PZT651T1G
库存 ：21520
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.978002 | ￥6.98 |
| 10 | ￥5.956224 | ￥59.56 |
| 100 | ￥4.13945 | ￥413.94 |
| 500 | ￥3.231814 | ￥1615.91 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 60 V
集电极—基极电压 80 V
发射极 - 基极电压 5 V
饱和电压 500 mV
最大直流电集电极电流 2 A
耗散功率 800 mW
增益带宽产品 75 MHz
集电极连续电流 2 A
直流集电极 75
技术 Si
外形参数
高度 1.57 mm
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 112 mg
PZT651T1G 同类别型号
注
PZT651T1G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
、PZT651T1G
数据手册PDF。
PZT651T1G
型号：PZT651T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：21520 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥6.978002 |
| 10+： | ￥5.956224 |
| 100+： | ￥4.13945 |
| 500+： | ￥3.231814 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.98