2SD1060S-1E
库存 ：55
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥32.125274 | ￥32.13 |
| 50 | ￥15.571667 | ￥778.58 |
| 100 | ￥13.95328 | ￥1395.33 |
| 500 | ￥11.111102 | ￥5555.55 |
| 1000 | ￥10.1972 | ￥10197.20 |
| 2000 | ￥9.428768 | ￥18857.54 |
| 5000 | ￥8.646851 | ￥43234.25 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极—基极电压 60 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 300 mV
最大直流电集电极电流 5 A
耗散功率 1.75 W
增益带宽产品 30 MHz
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 Through Hole
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 1.800 g
2SD1060S-1E 同类别型号
注
2SD1060S-1E品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
、2SD1060S-1E
数据手册PDF。
2SD1060S-1E
型号：2SD1060S-1E
品牌：ON
供货：锐单
库存：55 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥32.125274 |
| 50+： | ￥15.571667 |
| 100+： | ￥13.95328 |
| 500+： | ￥11.111102 |
| 1000+： | ￥10.1972 |
| 2000+： | ￥9.428768 |
| 5000+： | ￥8.646851 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥32.13