NSS60200LT1G
库存 ：40624
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.566975 | ￥8.57 |
| 10 | ￥5.323764 | ￥53.24 |
| 100 | ￥3.390074 | ￥339.01 |
| 500 | ￥2.555102 | ￥1277.55 |
| 1000 | ￥2.285394 | ￥2285.39 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 60 V
集电极—基极电压 - 80 V
发射极 - 基极电压 - 7 V
饱和电压 - 180 mV
最大直流电集电极电流 - 2 A
耗散功率 540 mW
增益带宽产品 100 MHz
直流集电极 150
技术 Si
外形参数
高度 0.94 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 8 mg
NSS60200LT1G 相关产品
NSS60200LT1G 同类别型号
注
NSS60200LT1G
型号：NSS60200LT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：40624 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.566975 |
| 10+： | ￥5.323764 |
| 100+： | ￥3.390074 |
| 500+： | ￥2.555102 |
| 1000+： | ￥2.285394 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.57