NJL0281DG
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥39.321322 | ￥39.32 |
| 10 | ￥35.506817 | ￥355.07 |
| 100 | ￥29.397449 | ￥2939.74 |
| 500 | ￥25.598966 | ￥12799.48 |
| 1000 | ￥22.295918 | ￥22295.92 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 260 V
集电极—基极电压 260 V
发射极 - 基极电压 5 V
饱和电压 1 V
最大直流电集电极电流 15 A
耗散功率 180 W
增益带宽产品 30 MHz
直流集电极 75
技术 Si
外形参数
高度 25.98 mm
长度 19.89 mm
宽度 4.89 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 Through Hole
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 10 g
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注
NJL0281DG
型号：NJL0281DG
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥39.321322 |
| 10+： | ￥35.506817 |
| 100+： | ￥29.397449 |
| 500+： | ￥25.598966 |
| 1000+： | ￥22.295918 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥39.32