NSS1C200LT1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.960241 | ￥2880.72 |
| 6000 | ￥0.898322 | ￥5389.93 |
| 15000 | ￥0.836351 | ￥12545.26 |
| 30000 | ￥0.792971 | ￥23789.13 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 100 V
集电极—基极电压 - 140 V
发射极 - 基极电压 - 7 V
饱和电压 - 250 mV
最大直流电集电极电流 - 2 A
耗散功率 710 mW
增益带宽产品 120 MHz
直流集电极 120
直流电流增益（Max） 150
技术 Si
外形参数
高度 0.94 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 8 mg
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注
NSS1C200LT1G
型号：NSS1C200LT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.960241 |
| 6000+： | ￥0.898322 |
| 15000+： | ￥0.836351 |
| 30000+： | ￥0.792971 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00