NSV1C200MZ4T1G
库存 ：3000
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.791248 | ￥8.79 |
| 10 | ￥7.515099 | ￥75.15 |
| 100 | ￥5.220869 | ￥522.09 |
| 500 | ￥4.07602 | ￥2038.01 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 100 V
集电极—基极电压 - 140 V
发射极 - 基极电压 - 7 V
饱和电压 - 220 mV
最大直流电集电极电流 - 2 A
耗散功率 800 mW
增益带宽产品 120 MHz
直流集电极 120
直流电流增益（Max） 360 at - 500 mA, - 2 V
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 112 mg
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注
NSV1C200MZ4T1G
型号：NSV1C200MZ4T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：3000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.791248 |
| 10+： | ￥7.515099 |
| 100+： | ￥5.220869 |
| 500+： | ￥4.07602 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.79