
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.970002 | ¥5.97 |
| 10 | ¥5.165349 | ¥51.65 |
| 100 | ¥3.851949 | ¥385.19 |
| 500 | ¥3.026531 | ¥1513.27 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 160 V
集电极—基极电压 180 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 115 mV
最大直流电集电极电流 600 mA
耗散功率 2 W
增益带宽产品 130 MHz
直流集电极 80 at 1 mA, 5 V, 80 at 10 mA, 5 V, 30 at 50 mA, 5 V
直流电流增益(Max) 80
技术 Si
高度 1.65 mm
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 112 mg
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0ZXTN5551GTA
型号:ZXTN5551GTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥5.970002 |
| 10+: | ¥5.165349 |
| 100+: | ¥3.851949 |
| 500+: | ¥3.026531 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.97