ZXTN19020DGTA

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

晶体管极性 NPN

配置 Single

击穿电压(集电极-发射极) 20 V

集电极—基极电压 70 V

发射极 - 基极电压 7 V

饱和电压 200 mV

最大直流电集电极电流 9 A

耗散功率 3 W

增益带宽产品 160 MHz

直流集电极 300 at 100 mA, 2 V, 260 at 2 A, 2 V, 130 at 9 A, 2 V, 50 at 15 A, 2 V

直流电流增益（Max） 300

技术 Si

高度 1.65 mm

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格 SMD/SMT

产品类型 BJTs - Bipolar Transistors

单位重量 112 mg