NSS1C200MZ4T1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥2.827921 | ￥2.83 |
| 10 | ￥2.74615 | ￥27.46 |
| 30 | ￥2.69845 | ￥80.95 |
| 100 | ￥2.643936 | ￥264.39 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 100 V
集电极—基极电压 - 140 V
发射极 - 基极电压 - 7 V
饱和电压 - 220 mV
最大直流电集电极电流 - 2 A
耗散功率 2 W
增益带宽产品 120 MHz
直流集电极 150
直流电流增益（Max） 150
技术 Si
外形参数
高度 1.57 mm
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 112 mg
NSS1C200MZ4T1G 同类别型号
注
NSS1C200MZ4T1G
型号：NSS1C200MZ4T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥2.827921 |
| 10+： | ￥2.74615 |
| 30+： | ￥2.69845 |
| 100+： | ￥2.643936 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥2.83