ZTX869

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

晶体管极性 NPN

配置 Single

击穿电压(集电极-发射极) 25 V

集电极—基极电压 60 V

发射极 - 基极电压 6 V

饱和电压 180 mV

最大直流电集电极电流 5 A

耗散功率 1.2 W

增益带宽产品 100 MHz

集电极连续电流 5 A

直流集电极 300 at 10 mA, 1 V, 300 at 1 A, 1 V, 250 at 5 A, 1 V, 40 at 20 A, 1 V

直流电流增益（Max） 300 at 10 mA, 1 V

技术 Si

高度 4.01 mm

长度 4.77 mm

宽度 2.41 mm

产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格 Through Hole

产品类型 BJTs - Bipolar Transistors

单位重量 453.600 mg