2SAR587D3TL1
库存 ：2500
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥15.93927 | ￥15.94 |
| 10 | ￥14.283563 | ￥142.84 |
| 25 | ￥13.561972 | ￥339.05 |
| 100 | ￥10.171478 | ￥1017.15 |
| 250 | ￥10.074607 | ￥2518.65 |
| 500 | ￥8.621539 | ￥4310.77 |
| 1000 | ￥7.023164 | ￥7023.16 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 120 V
集电极—基极电压 - 120 V
发射极 - 基极电压 - 6 V
饱和电压 - 100 mV
最大直流电集电极电流 - 3 A
耗散功率 10 W
增益带宽产品 250 MHz
集电极连续电流 - 3 A
直流集电极 120
直流电流增益（Max） 390
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 389 mg
2SAR587D3TL1 同类别型号
注
2SAR587D3TL1
型号：2SAR587D3TL1
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：2500 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥15.93927 |
| 10+： | ￥14.283563 |
| 25+： | ￥13.561972 |
| 100+： | ￥10.171478 |
| 250+： | ￥10.074607 |
| 500+： | ￥8.621539 |
| 1000+： | ￥7.023164 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥15.94