NJVMJB41CT4G
库存 ：2065
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥29.066525 | ￥29.07 |
| 10 | ￥18.48019 | ￥184.80 |
| 100 | ￥12.443533 | ￥1244.35 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 100 V
集电极—基极电压 100 V
发射极 - 基极电压 5 V
饱和电压 1.5 V
最大直流电集电极电流 6 A
耗散功率 65 W
增益带宽产品 3 MHz
直流集电极 20 at 500 mA, 10 V
直流电流增益（Max） 75 at 3 A, 4 V
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 2.240 g
NJVMJB41CT4G 同类别型号
注
NJVMJB41CT4G
型号：NJVMJB41CT4G
品牌：ON
供货：锐单
库存：2065 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥29.066525 |
| 10+： | ￥18.48019 |
| 100+： | ￥12.443533 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥29.07