2SCR346PT100Q

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

晶体管极性 NPN

配置 Single

击穿电压(集电极-发射极) 400 V

集电极—基极电压 400 V

发射极 - 基极电压 7 V

饱和电压 100 mV

最大直流电集电极电流 100 mA

耗散功率 500 mW

增益带宽产品 -

集电极连续电流 100 mA

直流集电极 82 at 10 mA, 10 V

直流电流增益（Max） 270 at 10 mA, 10 V

技术 Si

产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格 SMD/SMT

产品类型 BJTs - Bipolar Transistors