SBCW66GLT1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.591395 | ￥1774.18 |
| 6000 | ￥0.565456 | ￥3392.74 |
| 9000 | ￥0.48901 | ￥4401.09 |
| 30000 | ￥0.47986 | ￥14395.80 |
| 75000 | ￥0.397362 | ￥29802.15 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 45 V
集电极—基极电压 75 V
发射极 - 基极电压 5 V
饱和电压 700 mV
最大直流电集电极电流 800 mA
耗散功率 225 mW
增益带宽产品 100 MHz
直流集电极 160 at 100 mA, 1 VDC
直流电流增益（Max） 400 at 100 mA, 1 VDC
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 8 mg
SBCW66GLT1G 同类别型号
注
SBCW66GLT1G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
、SBCW66GLT1G
数据手册PDF。
SBCW66GLT1G
型号：SBCW66GLT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.591395 |
| 6000+： | ￥0.565456 |
| 9000+： | ￥0.48901 |
| 30000+： | ￥0.47986 |
| 75000+： | ￥0.397362 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00