2SD1918TLQ
库存 ：5000
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥12.429468 | ￥12.43 |
| 10 | ￥11.139172 | ￥111.39 |
| 100 | ￥8.686423 | ￥868.64 |
| 500 | ￥7.176184 | ￥3588.09 |
| 1000 | ￥5.665352 | ￥5665.35 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 160 V
集电极—基极电压 160 V
发射极 - 基极电压 5 V
饱和电压 2 V
最大直流电集电极电流 1.5 A
耗散功率 1 W
增益带宽产品 80 MHz
集电极连续电流 1.5 A
直流集电极 120
直流电流增益（Max） 120 at 100 mA, 5 V
技术 Si
外形参数
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 260.400 mg
2SD1918TLQ 同类别型号
注
2SD1918TLQ品牌厂家：ROHM
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
、2SD1918TLQ
数据手册PDF。
2SD1918TLQ
型号：2SD1918TLQ
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：5000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥12.429468 |
| 10+： | ￥11.139172 |
| 100+： | ￥8.686423 |
| 500+： | ￥7.176184 |
| 1000+： | ￥5.665352 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥12.43