FZT1149ATA

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

晶体管极性 PNP

配置 Single

击穿电压(集电极-发射极) - 25 V

集电极—基极电压 - 30 V

发射极 - 基极电压 - 7 V

饱和电压 - 230 mV

最大直流电集电极电流 - 4 A

耗散功率 3 W

增益带宽产品 135 MHz

集电极连续电流 - 4 A

直流集电极 270 at 10 mA, 2 V, 250 at 500 mA, 2 V, 195 at 2 A, 2 V, 115 at 5 A, 2 V

直流电流增益（Max） 270

技术 Si

高度 1.65 mm

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格 SMD/SMT

产品类型 BJTs - Bipolar Transistors

单位重量 112 mg