NJVMJD3055T4G
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥12.481312 | ￥12.48 |
| 10 | ￥11.140727 | ￥111.41 |
| 100 | ￥8.689536 | ￥868.95 |
| 500 | ￥7.178141 | ￥3589.07 |
| 1000 | ￥5.666978 | ￥5666.98 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 60 V
集电极—基极电压 70 V
发射极 - 基极电压 5 V
饱和电压 1.1 V
最大直流电集电极电流 10 A
耗散功率 20 W
增益带宽产品 2 MHz
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 351 mg
NJVMJD3055T4G 同类别型号
注
NJVMJD3055T4G
型号：NJVMJD3055T4G
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥12.481312 |
| 10+： | ￥11.140727 |
| 100+： | ￥8.689536 |
| 500+： | ￥7.178141 |
| 1000+： | ￥5.666978 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥12.48