DTA113ZU3HZGT106
库存 ：3000
货期：（7~10天）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.895603 | ￥2686.81 |
| 6000 | ￥0.83069 | ￥4984.14 |
| 9000 | ￥0.688971 | ￥6200.74 |
| 30000 | ￥0.67679 | ￥20303.70 |
| 75000 | ￥0.607865 | ￥45589.88 |
| 150000 | ￥0.526759 | ￥79013.85 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
配置 Single
晶体管极性 PNP
典型输入电阻器 1 kOhms
典型电阻器比率 10
集电极连续电流 - 100 mA
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
输出电压 - 100 mV
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格 AEC-Q101
DTA113ZU3HZGT106 同类别型号
注
DTA113ZU3HZGT106品牌厂家：ROHM
，所属分类： 双极晶体管
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替代型号
、DTA113ZU3HZGT106
数据手册PDF。
DTA113ZU3HZGT106
型号：DTA113ZU3HZGT106
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：3000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.895603 |
| 6000+： | ￥0.83069 |
| 9000+： | ￥0.688971 |
| 30000+： | ￥0.67679 |
| 75000+： | ￥0.607865 |
| 150000+： | ￥0.526759 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00