DTA123YU3HZGT106
库存 ：3000
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.953928 | ￥3.95 |
| 10 | ￥3.187854 | ￥31.88 |
| 25 | ￥2.668901 | ￥66.72 |
| 100 | ￥1.304796 | ￥130.48 |
| 250 | ￥1.284038 | ￥321.01 |
| 500 | ￥1.088318 | ￥544.16 |
| 1000 | ￥0.756188 | ￥756.19 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
配置 Single
晶体管极性 PNP
典型输入电阻器 2.2 kOhms
典型电阻器比率 4.5
集电极连续电流 - 100 mA
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
最大直流电集电极电流 - 100 mA
输出电压 - 100 mV
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格 AEC-Q101
DTA123YU3HZGT106 同类别型号
注
DTA123YU3HZGT106品牌厂家：ROHM
，所属分类： 双极晶体管
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替代型号
、DTA123YU3HZGT106
数据手册PDF。
DTA123YU3HZGT106
型号：DTA123YU3HZGT106
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：3000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥3.953928 |
| 10+： | ￥3.187854 |
| 25+： | ￥2.668901 |
| 100+： | ￥1.304796 |
| 250+： | ￥1.284038 |
| 500+： | ￥1.088318 |
| 1000+： | ￥0.756188 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥3.95