2SA2013-TD-E
库存 ：3805
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥11.050681 | ￥11.05 |
| 10 | ￥9.704766 | ￥97.05 |
| 100 | ￥7.439375 | ￥743.94 |
| 500 | ￥5.880948 | ￥2940.47 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 50 V
集电极—基极电压 - 50 V
发射极 - 基极电压 - 6 V
饱和电压 - 200 mV
最大直流电集电极电流 - 7 A
耗散功率 3.5 W
增益带宽产品 360 MHz
集电极连续电流 - 4 A
直流集电极 200
直流电流增益（Max） 560
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 51.500 mg
2SA2013-TD-E 同类别型号
注
2SA2013-TD-E品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
、2SA2013-TD-E
数据手册PDF。
2SA2013-TD-E
型号：2SA2013-TD-E
品牌：ON
供货：锐单
库存：3805 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥11.050681 |
| 10+： | ￥9.704766 |
| 100+： | ￥7.439375 |
| 500+： | ￥5.880948 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥11.05