DTC114TU3HZGT106
库存 ：3000
货期：（7~10天）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.906934 | ￥2720.80 |
| 6000 | ￥0.841201 | ￥5047.21 |
| 9000 | ￥0.697687 | ￥6279.18 |
| 30000 | ￥0.685352 | ￥20560.56 |
| 75000 | ￥0.615555 | ￥46166.63 |
| 150000 | ￥0.533423 | ￥80013.45 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
配置 Single
晶体管极性 NPN
典型输入电阻器 10 kOhms
直流集电极 100
工作频率（Max） 250 MHz
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极连续电流 100 mA
峰值直流集电极电流 -
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
发射极 - 基极电压 5 V
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格 AEC-Q101
DTC114TU3HZGT106 同类别型号
注
DTC114TU3HZGT106
型号：DTC114TU3HZGT106
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：3000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.906934 |
| 6000+： | ￥0.841201 |
| 9000+： | ￥0.697687 |
| 30000+： | ￥0.685352 |
| 75000+： | ￥0.615555 |
| 150000+： | ￥0.533423 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00