DTA114TU3HZGT106
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.911796 | ￥2735.39 |
| 6000 | ￥0.792932 | ￥4757.59 |
| 15000 | ￥0.673929 | ￥10108.93 |
| 30000 | ￥0.634261 | ￥19027.83 |
| 75000 | ￥0.594735 | ￥44605.13 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
配置 Single
晶体管极性 PNP
典型输入电阻器 10 kOhms
直流集电极 100
击穿电压(集电极-发射极) - 50 V
集电极连续电流 - 100 mA
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
发射极 - 基极电压 - 5 V
最大直流电集电极电流 - 100 mA
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格 AEC-Q101
DTA114TU3HZGT106 同类别型号
注
DTA114TU3HZGT106品牌厂家：ROHM
，所属分类： 双极晶体管
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替代型号
、DTA114TU3HZGT106
数据手册PDF。
DTA114TU3HZGT106
型号：DTA114TU3HZGT106
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.911796 |
| 6000+： | ￥0.792932 |
| 15000+： | ￥0.673929 |
| 30000+： | ￥0.634261 |
| 75000+： | ￥0.594735 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00