2SC5566-TD-E
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥1.483353 | ￥1483.35 |
| 2000 | ￥1.321154 | ￥2642.31 |
| 5000 | ￥1.251574 | ￥6257.87 |
| 10000 | ￥1.158897 | ￥11588.97 |
| 25000 | ￥1.147409 | ￥28685.22 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极—基极电压 100 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 150 mV
最大直流电集电极电流 4 A
耗散功率 3.5 W
增益带宽产品 400 MHz
集电极连续电流 - 4 A, 4 A
直流集电极 200
直流电流增益（Max） 560
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 51.500 mg
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注
2SC5566-TD-E品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
、2SC5566-TD-E
数据手册PDF。
2SC5566-TD-E
型号：2SC5566-TD-E
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1000+： | ￥1.483353 |
| 2000+： | ￥1.321154 |
| 5000+： | ￥1.251574 |
| 10000+： | ￥1.158897 |
| 25000+： | ￥1.147409 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00