DTB113ECHZGT116
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.928541 | ￥2785.62 |
| 6000 | ￥0.835734 | ￥5014.40 |
| 15000 | ￥0.742808 | ￥11142.12 |
| 30000 | ￥0.696406 | ￥20892.18 |
| 75000 | ￥0.656986 | ￥49273.95 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
配置 Single
晶体管极性 PNP
典型输入电阻器 1 kOhms
典型电阻器比率 1
直流集电极 33
工作频率（Max） 200 MHz
击穿电压(集电极-发射极) - 50 V
集电极连续电流 - 500 mA
峰值直流集电极电流 - 500 mA
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
输出电压 - 100 V
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格 AEC-Q101
零件号别名 DTB113ECHZG
DTB113ECHZGT116 同类别型号
注
DTB113ECHZGT116
型号：DTB113ECHZGT116
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.928541 |
| 6000+： | ￥0.835734 |
| 15000+： | ￥0.742808 |
| 30000+： | ￥0.696406 |
| 75000+： | ￥0.656986 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00