DTB113ECHZGT116
库存 ：903
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.70053 | ￥5.70 |
| 10 | ￥4.261825 | ￥42.62 |
| 100 | ￥2.411867 | ￥241.19 |
| 500 | ￥1.596963 | ￥798.48 |
| 1000 | ￥1.224394 | ￥1224.39 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
配置 Single
晶体管极性 PNP
典型输入电阻器 1 kOhms
典型电阻器比率 1
直流集电极 33
工作频率（Max） 200 MHz
击穿电压(集电极-发射极) - 50 V
集电极连续电流 - 500 mA
峰值直流集电极电流 - 500 mA
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
输出电压 - 100 V
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格 AEC-Q101
零件号别名 DTB113ECHZG
DTB113ECHZGT116 同类别型号
注
DTB113ECHZGT116
型号：DTB113ECHZGT116
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：903 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.70053 |
| 10+： | ￥4.261825 |
| 100+： | ￥2.411867 |
| 500+： | ￥1.596963 |
| 1000+： | ￥1.224394 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.70