MJD200T4G
库存 ：10145
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥9.093702 | ￥9.09 |
| 10 | ￥8.035032 | ￥80.35 |
| 100 | ￥6.159286 | ￥615.93 |
| 500 | ￥4.868523 | ￥2434.26 |
| 1000 | ￥3.894821 | ￥3894.82 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 25 V
集电极—基极电压 40 V
发射极 - 基极电压 8 V
饱和电压 1.8 V
最大直流电集电极电流 5 A
耗散功率 12.5 W
增益带宽产品 65 MHz
集电极连续电流 5 A
直流集电极 70
技术 Si
外形参数
高度 2.38 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 1 g
MJD200T4G 同类别型号
注
MJD200T4G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
、MJD200T4G
数据手册PDF。
MJD200T4G
型号：MJD200T4G
品牌：ON
供货：锐单
库存：10145 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥9.093702 |
| 10+： | ￥8.035032 |
| 100+： | ￥6.159286 |
| 500+： | ￥4.868523 |
| 1000+： | ￥3.894821 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥9.09