BC847BU3HZGT106
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货期： 8周-10周
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.873474 | ￥2620.42 |
| 6000 | ￥0.810141 | ￥4860.85 |
| 9000 | ￥0.671882 | ￥6046.94 |
| 30000 | ￥0.659997 | ￥19799.91 |
| 75000 | ￥0.592895 | ￥44467.12 |
| 150000 | ￥0.513766 | ￥77064.90 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 45 V
集电极—基极电压 50 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 600 mV
最大直流电集电极电流 100 mA
耗散功率 200 mW
增益带宽产品 200 MHz
集电极连续电流 100 mA
直流集电极 200
直流电流增益（Max） 450
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 5.058 g
BC847BU3HZGT106 同类别型号
注
BC847BU3HZGT106
型号：BC847BU3HZGT106
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.873474 |
| 6000+： | ￥0.810141 |
| 9000+： | ￥0.671882 |
| 30000+： | ￥0.659997 |
| 75000+： | ￥0.592895 |
| 150000+： | ￥0.513766 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00