BC847BU3HZGT106
库存 ：2965
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.217358 | ￥5.22 |
| 10 | ￥3.565195 | ￥35.65 |
| 100 | ￥1.73912 | ￥173.91 |
| 500 | ￥1.450427 | ￥725.21 |
| 1000 | ￥1.00782 | ￥1007.82 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 45 V
集电极—基极电压 50 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 600 mV
最大直流电集电极电流 100 mA
耗散功率 200 mW
增益带宽产品 200 MHz
集电极连续电流 100 mA
直流集电极 200
直流电流增益（Max） 450
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 5.058 g
BC847BU3HZGT106 同类别型号
注
BC847BU3HZGT106
型号：BC847BU3HZGT106
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：2965 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.217358 |
| 10+： | ￥3.565195 |
| 100+： | ￥1.73912 |
| 500+： | ￥1.450427 |
| 1000+： | ￥1.00782 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.22