BSS63AHZGT116
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.007093 | ￥3021.28 |
| 6000 | ￥0.906385 | ￥5438.31 |
| 15000 | ￥0.805676 | ￥12085.14 |
| 30000 | ￥0.75532 | ￥22659.60 |
| 75000 | ￥0.712566 | ￥53442.45 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 100 V
集电极—基极电压 - 110 V
发射极 - 基极电压 - 6 V
饱和电压 - 100 mV
最大直流电集电极电流 - 100 mA
耗散功率 200 mW
增益带宽产品 200 MHz
集电极连续电流 - 100 mA
直流集电极 30
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
BSS63AHZGT116 同类别型号
注
BSS63AHZGT116
型号：BSS63AHZGT116
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.007093 |
| 6000+： | ￥0.906385 |
| 15000+： | ￥0.805676 |
| 30000+： | ￥0.75532 |
| 75000+： | ￥0.712566 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00