2SB1386T100Q
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥1.486427 | ￥1486.43 |
| 2000 | ￥1.32387 | ￥2647.74 |
| 5000 | ￥1.254177 | ￥6270.89 |
| 10000 | ￥1.161254 | ￥11612.54 |
| 25000 | ￥1.149756 | ￥28743.90 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 20 V
集电极—基极电压 - 30 V
发射极 - 基极电压 - 6 V
饱和电压 - 350 mV
最大直流电集电极电流 - 5 A
耗散功率 500 mW
增益带宽产品 120 MHz
集电极连续电流 - 5 A
直流集电极 82
直流电流增益（Max） 390
技术 Si
外形参数
高度 1.5 mm
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 130.500 mg
2SB1386T100Q 同类别型号
注
2SB1386T100Q品牌厂家：ROHM
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
、2SB1386T100Q
数据手册PDF。
2SB1386T100Q
型号：2SB1386T100Q
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1000+： | ￥1.486427 |
| 2000+： | ￥1.32387 |
| 5000+： | ￥1.254177 |
| 10000+： | ￥1.161254 |
| 25000+： | ￥1.149756 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00