2N5657G
库存 ：1708
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 350 V
集电极—基极电压 375 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 1 V
最大直流电集电极电流 500 mA
耗散功率 20 W
增益带宽产品 10 MHz
集电极连续电流 0.5 A
直流集电极 30
技术 Si
外形参数
高度 11.04 mm
长度 7.74 mm
宽度 2.66 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 Through Hole
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 680 mg
2N5657G 同类别型号
注
2N5657G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
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数据手册PDF。
2N5657G
型号：2N5657G
品牌：ON
供货：锐单
库存：1708 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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