PHE13007,127
库存 ：4616
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥10.05482 | ￥10.05 |
| 10 | ￥8.647145 | ￥86.47 |
| 100 | ￥5.989801 | ￥598.98 |
| 500 | ￥5.004716 | ￥2502.36 |
| 1000 | ￥4.259509 | ￥4259.51 |
| 2000 | ￥3.79354 | ￥7587.08 |
| 5000 | ￥3.593882 | ￥17969.41 |
| 10000 | ￥3.327714 | ￥33277.14 |
规格参数
关键信息
制造商 WeEn Semiconductors
商标 WeEn Semiconductors
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 400 V
集电极—基极电压 700 V
发射极 - 基极电压 9 V
饱和电压 0.51 V
最大直流电集电极电流 8 A
耗散功率 80 W
直流集电极 5
直流电流增益（Max） 40
技术 Si
外形参数
高度 9.4 mm
长度 10.3 mm
宽度 4.7 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 Through Hole
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
零件号别名 934055555127
单位重量 1.800 g
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注
PHE13007,127品牌厂家：WeEn Semiconductors
，所属分类： 双极性晶体管
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数据手册PDF。
PHE13007,127
型号：PHE13007,127
品牌：WeEn Semiconductors
供货：锐单
库存：4616 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥10.05482 |
| 10+： | ￥8.647145 |
| 100+： | ￥5.989801 |
| 500+： | ￥5.004716 |
| 1000+： | ￥4.259509 |
| 2000+： | ￥3.79354 |
| 5000+： | ￥3.593882 |
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货期：7-10天
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