MJD112T4G
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货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.97486 | ￥7.97 |
| 10 | ￥6.890779 | ￥68.91 |
| 100 | ￥4.77121 | ￥477.12 |
| 500 | ￥3.986682 | ￥1993.34 |
| 1000 | ￥3.393055 | ￥3393.05 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
配置 Single
晶体管极性 NPN
击穿电压(集电极-发射极) 100 V
发射极 - 基极电压 5 V
集电极—基极电压 100 V
最大直流电集电极电流 2 A
集电极截止电流（Max） 20 uA
耗散功率 20 W
集电极连续电流 2 A
直流集电极 200, 500, 1000
外形参数
高度 2.38 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 达林顿晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 Darlington Transistors
单位重量 470 mg
MJD112T4G 同类别型号
注
MJD112T4G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
、MJD112T4G
数据手册PDF。
MJD112T4G
型号：MJD112T4G
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.97486 |
| 10+： | ￥6.890779 |
| 100+： | ￥4.77121 |
| 500+： | ￥3.986682 |
| 1000+： | ￥3.393055 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.97