2SAR502U3HZGT106
库存 ：2784
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.675147 | ￥4.68 |
| 10 | ￥3.513444 | ￥35.13 |
| 25 | ￥3.077097 | ￥76.93 |
| 100 | ￥1.668886 | ￥166.89 |
| 250 | ￥1.660386 | ￥415.10 |
| 500 | ￥1.36146 | ￥680.73 |
| 1000 | ￥1.010115 | ￥1010.12 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 30 V
集电极—基极电压 - 30 V
发射极 - 基极电压 - 6 V
饱和电压 - 150 mV
最大直流电集电极电流 - 500 mA
耗散功率 200 mW
增益带宽产品 520 MHz
集电极连续电流 - 500 mA
直流集电极 200
直流电流增益（Max） 500
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
2SAR502U3HZGT106 同类别型号
注
2SAR502U3HZGT106
型号：2SAR502U3HZGT106
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：2784 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.675147 |
| 10+： | ￥3.513444 |
| 25+： | ￥3.077097 |
| 100+： | ￥1.668886 |
| 250+： | ￥1.660386 |
| 500+： | ￥1.36146 |
| 1000+： | ￥1.010115 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥4.68