2SAR502U3HZGT106
库存 ：2784
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定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 30 V
集电极—基极电压 - 30 V
发射极 - 基极电压 - 6 V
饱和电压 - 150 mV
最大直流电集电极电流 - 500 mA
耗散功率 200 mW
增益带宽产品 520 MHz
集电极连续电流 - 500 mA
直流集电极 200
直流电流增益（Max） 500
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
2SAR502U3HZGT106 同类别型号
注
2SAR502U3HZGT106
型号：2SAR502U3HZGT106
品牌：ROHM
供货：锐单
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