MJD112-1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.926703 | ￥7.93 |
| 10 | ￥7.069179 | ￥70.69 |
| 100 | ￥5.50978 | ￥550.98 |
| 500 | ￥4.55137 | ￥2275.69 |
| 1000 | ￥3.593103 | ￥3593.10 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
配置 Single
晶体管极性 NPN
击穿电压(集电极-发射极) 100 V
发射极 - 基极电压 5 V
集电极—基极电压 100 V
最大直流电集电极电流 2 A
集电极截止电流（Max） 20 uA
耗散功率 20 W
集电极连续电流 2 A
直流集电极 200, 500, 1000
外形参数
高度 6.22 mm
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
物理类型
产品种类 达林顿晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 Darlington Transistors
单位重量 40 mg
MJD112-1G 同类别型号
注
MJD112-1G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
、MJD112-1G
数据手册PDF。
MJD112-1G
型号：MJD112-1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.926703 |
| 10+： | ￥7.069179 |
| 100+： | ￥5.50978 |
| 500+： | ￥4.55137 |
| 1000+： | ￥3.593103 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.93