MJD42C1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.003876 | ￥6.00 |
| 75 | ￥4.985325 | ￥373.90 |
| 150 | ￥3.618485 | ￥542.77 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 100 V
集电极—基极电压 100 V
发射极 - 基极电压 5 V
饱和电压 1.5 V
最大直流电集电极电流 6 A
耗散功率 20 W
增益带宽产品 3 MHz
直流集电极 30 at 300 mA, 4 V, 15 at 3 A, 4 V
技术 Si
外形参数
高度 6.35 mm
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 Through Hole
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 4 g
MJD42C1G 同类别型号
注
MJD42C1G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
、MJD42C1G
数据手册PDF。
MJD42C1G
型号：MJD42C1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥6.003876 |
| 75+： | ￥4.985325 |
| 150+： | ￥3.618485 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.00