NSVBC856BM3T5G
库存 ：8000
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.724249 | ￥4.72 |
| 10 | ￥3.891289 | ￥38.91 |
| 100 | ￥2.066238 | ￥206.62 |
| 500 | ￥1.359092 | ￥679.55 |
| 1000 | ￥0.924088 | ￥924.09 |
| 2000 | ￥0.833582 | ￥1667.16 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 65 V
集电极—基极电压 - 80 V
发射极 - 基极电压 - 5 V
饱和电压 - 300 mV
最大直流电集电极电流 - 100 mA
耗散功率 265 mW
增益带宽产品 100 MHz
直流集电极 220 at - 2 mA, - 5 V
直流电流增益（Max） 475 at - 2 mA, - 5 V
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 1.270 mg
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注
NSVBC856BM3T5G
型号：NSVBC856BM3T5G
品牌：ON
供货：锐单
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单价：
| 1+： | ￥4.724249 |
| 10+： | ￥3.891289 |
| 100+： | ￥2.066238 |
| 500+： | ￥1.359092 |
| 1000+： | ￥0.924088 |
| 2000+： | ￥0.833582 |
货期：7-10天
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