ZTX657

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

晶体管极性 NPN

配置 Single

击穿电压(集电极-发射极) 300 V

集电极—基极电压 300 V

发射极 - 基极电压 5 V

饱和电压 500 mV

最大直流电集电极电流 500 mA

耗散功率 1 W

增益带宽产品 30 MHz

集电极连续电流 0.5 A

直流集电极 50 at 100 mA, 5 V, 40 at 10 mA, 5 V

直流电流增益（Max） 50 at 100 mA, 5 V

技术 Si

高度 4.01 mm

长度 4.77 mm

宽度 2.41 mm

产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格 Through Hole

产品类型 BJTs - Bipolar Transistors

单位重量 453.600 mg