NSS60600MZ4T1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥1.340261 | ￥1340.26 |
| 2000 | ￥1.198104 | ￥2396.21 |
| 5000 | ￥1.137197 | ￥5685.98 |
| 10000 | ￥1.055948 | ￥10559.48 |
| 25000 | ￥1.031597 | ￥25789.93 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 60 V
集电极—基极电压 - 100 V
发射极 - 基极电压 - 6 V
饱和电压 - 350 mV
最大直流电集电极电流 - 6 A
耗散功率 2 W
增益带宽产品 100 MHz
直流集电极 150
技术 Si
外形参数
高度 1.57 mm
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 112 mg
NSS60600MZ4T1G 同类别型号
注
NSS60600MZ4T1G
型号：NSS60600MZ4T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1000+： | ￥1.340261 |
| 2000+： | ￥1.198104 |
| 5000+： | ￥1.137197 |
| 10000+： | ￥1.055948 |
| 25000+： | ￥1.031597 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00