NSV1C201MZ4T1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥1.616993 | ￥1616.99 |
| 2000 | ￥1.469638 | ￥2939.28 |
| 3000 | ￥1.394445 | ￥4183.34 |
| 5000 | ￥1.309845 | ￥6549.22 |
| 7000 | ￥1.25978 | ￥8818.46 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 100 V
集电极—基极电压 140 V
发射极 - 基极电压 7 V
饱和电压 180 mV
最大直流电集电极电流 2 A
耗散功率 800 mW
增益带宽产品 100 MHz
集电极连续电流 2 A
直流电流增益（Max） 360
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 112 mg
NSV1C201MZ4T1G 同类别型号
注
NSV1C201MZ4T1G
型号：NSV1C201MZ4T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1000+： | ￥1.616993 |
| 2000+： | ￥1.469638 |
| 3000+： | ￥1.394445 |
| 5000+： | ￥1.309845 |
| 7000+： | ￥1.25978 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00