NSV1C201MZ4T1G
库存 ：14683
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.725646 | ￥7.73 |
| 10 | ￥6.604181 | ￥66.04 |
| 100 | ￥4.588038 | ￥458.80 |
| 500 | ￥3.581959 | ￥1790.98 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 100 V
集电极—基极电压 140 V
发射极 - 基极电压 7 V
饱和电压 180 mV
最大直流电集电极电流 2 A
耗散功率 800 mW
增益带宽产品 100 MHz
集电极连续电流 2 A
直流电流增益（Max） 360
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 112 mg
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注
NSV1C201MZ4T1G
型号：NSV1C201MZ4T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：14683 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.725646 |
| 10+： | ￥6.604181 |
| 100+： | ￥4.588038 |
| 500+： | ￥3.581959 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.73