MJD122T4G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥2.280155 | ￥5700.39 |
| 5000 | ￥2.109882 | ￥10549.41 |
| 7500 | ￥2.023073 | ￥15173.05 |
| 12500 | ￥1.963473 | ￥24543.41 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
配置 Single
晶体管极性 NPN
击穿电压(集电极-发射极) 100 V
发射极 - 基极电压 5 V
集电极—基极电压 100 V
最大直流电集电极电流 8 A
集电极截止电流（Max） 10 uA
耗散功率 20 W
集电极连续电流 8 A
直流集电极 100, 1000
外形参数
高度 2.38 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 达林顿晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 Darlington Transistors
单位重量 500 mg
MJD122T4G 同类别型号
注
MJD122T4G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
、MJD122T4G
数据手册PDF。
MJD122T4G
型号：MJD122T4G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥2.280155 |
| 5000+： | ￥2.109882 |
| 7500+： | ￥2.023073 |
| 12500+： | ￥1.963473 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00