MJD3055T4G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥1.75494 | ￥4387.35 |
| 5000 | ￥1.662546 | ￥8312.73 |
| 12500 | ￥1.539375 | ￥19242.19 |
| 25000 | ￥1.524163 | ￥38104.07 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 60 V
集电极—基极电压 70 V
发射极 - 基极电压 5 V
饱和电压 1.1 V
最大直流电集电极电流 10 A
耗散功率 20 W
增益带宽产品 2 MHz
集电极连续电流 10 A
直流集电极 20
技术 Si
外形参数
高度 2.38 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 351 mg
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注
MJD3055T4G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
、MJD3055T4G
数据手册PDF。
MJD3055T4G
型号：MJD3055T4G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥1.75494 |
| 5000+： | ￥1.662546 |
| 12500+： | ￥1.539375 |
| 25000+： | ￥1.524163 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00