MJD3055T4G
库存 ：11419
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥11.144318 | ￥11.14 |
| 10 | ￥9.701273 | ￥97.01 |
| 100 | ￥6.715166 | ￥671.52 |
| 500 | ￥5.610451 | ￥2805.23 |
| 1000 | ￥4.77477 | ￥4774.77 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 60 V
集电极—基极电压 70 V
发射极 - 基极电压 5 V
饱和电压 1.1 V
最大直流电集电极电流 10 A
耗散功率 20 W
增益带宽产品 2 MHz
集电极连续电流 10 A
直流集电极 20
技术 Si
外形参数
高度 2.38 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 351 mg
MJD3055T4G 同类别型号
注
MJD3055T4G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
、MJD3055T4G
数据手册PDF。
MJD3055T4G
型号：MJD3055T4G
品牌：ON
供货：锐单
库存：11419 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥11.144318 |
| 10+： | ￥9.701273 |
| 100+： | ￥6.715166 |
| 500+： | ￥5.610451 |
| 1000+： | ￥4.77477 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥11.14