2N6052G
库存 ：152
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
配置 Single
晶体管极性 PNP
击穿电压(集电极-发射极) 100 V
发射极 - 基极电压 5 V
集电极—基极电压 100 V
最大直流电集电极电流 12 A
集电极截止电流（Max） 1000 uA
耗散功率 150 W
集电极连续电流 12 A
直流集电极 100, 750
直流电流增益（Max） 18000
外形参数
高度 8.51 mm
长度 39.37 mm
宽度 26.67 mm
物理类型
产品种类 达林顿晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 Darlington Transistors
单位重量 12.020 g
2N6052G 同类别型号
注
2N6052G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
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数据手册PDF。
2N6052G
型号：2N6052G
品牌：ON
供货：锐单
库存：152 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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